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新聞詳情
IGBT模塊發(fā)熱的原因分析
日期：2025-04-30 14:18
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摘要：
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過(guò)程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過(guò)器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開(kāi)關(guān)器件通斷，減小開(kāi)關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太...
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過(guò)程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過(guò)器件允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
IGBT模塊發(fā)熱，效率低解決方法
1、減小柵極電阻，可加快開(kāi)關(guān)器件通斷，減小開(kāi)關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太小 具體需要調(diào)試
2、加適當(dāng)阻容吸收電路
3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問(wèn)題。
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